(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211525625.0 (22)申请日 2022.12.01 (71)申请人 全芯智造技 术有限公司 地址 230088 安徽省合肥市高新区创新大 道2800号创新产业园二期J2C 栋13楼 (72)发明人 不公告发明人 　 (74)专利代理 机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 专利代理师 张英英 (51)Int.Cl. G06F 30/39(2020.01) G06F 115/12(2020.01) G06F 119/14(2020.01) (54)发明名称 位错仿真方法及装置、 可读存 储介质、 终端 (57)摘要 一种位错仿真方法及装置、 可读存储介质、 终端， 方法包括： 形成仿真半导体器件， 所述仿真 半导体器件包含半导体衬底和位于所述半导体 衬底表面的器件结构； 采用预设的离子注入参 数， 对所述仿真半导体器件中所述器件结构两侧 的半导体衬底进行离子注入仿真， 并确定所述半 导体衬底内的非晶化损伤分布； 根据所述非晶化 损伤分布与预设非晶化阈值的比较结果， 确定非 晶化区域； 采用预设的应力薄膜沉积参数， 对所 述仿真半导体器件的表面进行沉积 仿真， 并确定 所述半导体衬底内的压强分布； 基于所述压强分 布以及所述非晶化区域， 确定所述半导体衬底内 的位错仿真结果。 本发明可以提高判断位错的客 观性和准确性。 权利要求书2页 说明书10页 附图4页 CN 115544940 A 2022.12.30 CN 115544940 A 1.一种位 错仿真方法， 其特 征在于， 包括： 形成仿真半导体器件， 所述仿真半导体器件包含半导体衬底和位于所述半导体衬底表 面的器件结构； 采用预设的离子注入参数， 对所述仿真半导体器件中所述器件结构两侧的半导体衬底 进行离子注入仿真， 并确定所述半导体 衬底内的非晶化损伤分布； 根据所述非晶化损伤分布与预设非晶化阈值的比较结果， 确定非晶化区域； 采用预设的应力薄膜沉积参数， 对所述仿真半导体器件的表面进行沉积仿真， 并确定 所述半导体 衬底内的压强分布； 基于所述压强分布以及所述非晶化区域， 确定所述半导体 衬底内的位 错仿真结果。 2.根据权利要求1所述的位 错仿真方法， 其特 征在于， 还 包括： 以所述位错仿真结果作为仿真应力源， 对所述半导体衬底施加应力， 并确定所述半导 体衬底内的应力分布。 3.根据权利要求2所述的位错仿真方法， 其特征在于， 确定所述半导体衬底内的应力分 布， 包括： 采用TCAD仿真工具， 确定所述半导体 衬底内的应力分布。 4.根据权利要求1所述的位错仿真方法， 其特征在于， 根据 所述非晶化损伤分布与 预设 非晶化阈值的比较结果， 确定非晶化区域， 包括： 确定非晶化损伤值大于所述预设非晶化阈值的点， 以作为所述非晶化区域； 其中， 所述预设非晶化阈值是根据所述半导体 衬底的材 料确定的。 5.根据权利要求1所述的位错仿真方法， 其特征在于， 所述仿真半导体器件为NMOS器 件， 所述器件结构包 含栅极结构； 对所述仿真半导体器件的表面进行沉积仿真后得到的应力薄膜覆盖所述栅极结构以 及所述半导体 衬底。 6.根据权利要求5所述的位错仿真方法， 其特征在于， 所述预设的应力薄膜沉积参数满 足以下一项或多 项： 采用所述应力薄膜沉积参数 形成的应力薄膜为张应力薄膜； 所述应力薄膜沉积参数包 含所述应力薄膜的沉积厚度； 所述应力薄膜的材 料选自： 氮化硅、 氮氧化硅以及二氧化硅 。 7.根据权利要求1所述的位错仿真方法， 其特征在于， 基于所述压强分布以及所述非晶 化区域， 确定所述半导体 衬底内的位 错仿真结果， 包括： 在所述半导体衬底的表面确定压强梯度最大的点， 然后以所述压强梯度最大的点作为 起点， 采用预设晶向作为延伸方向， 根据所述 非晶化区域的大小确定终点， 以得到所述半导 体衬底内的位 错仿真线段。 8.根据权利要求7所述的位错仿真方法， 其特征在于， 以所述压强梯度最大的点作为起 点， 采用预设晶向作为延伸方向， 根据所述非晶化区域的大小确定终点， 包括： 基于X方向以及Y方向， 构建非晶化矩形窗口， 所述非晶化矩形窗口包含所述非晶化区 域； 以所述压强梯度最大的点作为起点， 采用预设晶向作为延伸方向， 确定延伸线与所述 非晶化矩形窗口 的交点， 作为所述终点；权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115544940 A 2其中， 所述X方向与Y方向中的一个平行于所述仿真半导体器件的衬底沟道方向， 所述X 方向与Y方向中的另一个垂直于所述半导体 衬底。 9.根据权利要求7所述的位错仿真方法， 其特征在于， 在所述半导体衬底的表面确定压 强梯度最大的点， 包括： 如果在所述半导体衬底的表面存在多个点的压强梯度相等且最大， 则确定压强梯度最 大的各个点的非晶化损伤值； 采用非晶化损伤值 最大的点作为所述压强梯度最大的点。 10.根据权利要求1所述的位错仿真方法， 其特征在于， 确定所述半导体衬底内的非晶 化损伤分布， 包括： 采用TCAD仿真工具， 确定所述半导体 衬底内的非晶化损伤分布。 11.根据权利要求1所述的位错仿真方法， 其特征在于， 确定所述半导体衬底内的压强 分布， 包括： 采用TCAD仿真工具， 确定所述半导体 衬底内的压强分布。 12.一种位 错仿真装置， 其特 征在于， 包括： 器件结构仿真模块， 用于形成仿真半导体器件， 所述仿真半导体器件包含半导体衬底 和位于所述半导体 衬底表面的器件结构； 离子注入仿真模块， 用于采用预设的离子注入参数， 对所述仿真半导体器件中所述器 件结构两侧的半导体衬底进行离子注入仿真， 并确定所述半导体衬底内的非晶化损伤分 布； 非晶化区域确定模块， 用于根据所述非晶化损伤分布与预设非晶化阈值的比较结果， 确定非晶化区域； 压强分布确定模块， 用于采用预设的应力薄膜沉积参数， 对所述仿真半导体器件的表 面进行沉积仿真， 并确定所述半导体 衬底内的压强分布； 位错仿真结果确定模块， 用于基于所述压强分布以及所述非晶化区域， 确定所述半导 体衬底内的位 错仿真结果。 13.一种可读存储介质， 其上存储有计算机程序， 其特征在于， 所述计算机程序被处理 器运行时执 行权利要求1至1 1任一项所述 位错仿真方法的步骤。 14.一种终端， 包括存储器和处理器， 所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的 计算机程序， 其特征在于， 所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求 1至11任一项 所 述位错仿真方法的步骤。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115544940 A 3