(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210799971.1 (22)申请日 2022.07.08 (71)申请人 山东美泉环保科技有限公司 地址 250000 山东省济南市 市中区腊山路 18号留学 人员创业园腊山创业区二楼 (72)发明人 于雪峰　乔壮明　郭伟初　 (74)专利代理 机构 山东瑞宸知识产权代理有限 公司 37268 专利代理师 于晓丽 (51)Int.Cl. C12N 1/20(2006.01) C12M 1/00(2006.01) C02F 3/28(2006.01) C02F 101/16(2006.01) (54)发明名称 一种厌氧氨氧化菌的培养方法及培养装置、 及厌氧氨氧化菌在处 理工业废水中的应用 (57)摘要 本申请提供了一种厌氧氨氧化菌的培养方 法及培养装置、 及厌 氧氨氧化菌在处理工业废水 中的应用， 属于废水处理技术领域。 该厌氧氨氧 化菌的培养方法， 在好氧条件下培养厌氧氨氧化 菌种， 所述好氧条件包括： 氨底物IC50为550～ 800mg/L； 亚硝酸盐底物IC50为200～400mg/L； pH 值为6～9； 温度为2 5℃～40℃； C/N为3～1； N/P为 （7～3） ： 1； 氧溶解量为0～2.0mg/L。 该厌氧氨氧 化菌的培养方法， 通过在好氧条件 下培养厌 氧氨 氧化菌种， 在处理工业废水时， 厌氧氨氧化菌种 耐冲击提高， 脱氮效率 提高。 权利要求书1页 说明书7页 附图5页 CN 115161235 A 2022.10.11 CN 115161235 A 1.一种厌氧氨氧化菌的培养方法， 其特征在于， 在好氧条件下培养厌氧氨氧化菌， 所述 好氧条件包括： 氨底物IC50为550～800mg/L； 亚硝酸盐底物IC50为200～400mg/L； pH值为6～9； 温度为25 ℃～40℃； C /N为3～1； N/P为 （7～3） ： 1； 氧 溶解量为0～2.0mg/L。 2.根据权利要求1所述的培养方法， 其特征在于， 所述好氧条件包括： 氨底物IC50为600 ～750mg/L； 亚硝酸盐底物IC50为250～350mg/L； pH值为6.5～8.5； 温度为27℃～37℃； C/N为 2～1； N/P为 （6～4） ： 1； 氧 溶解量为0.5～1.5mg/L。 3.根据权利要求1所述的培养方法， 其特征在于， 所述好氧条件包括： 氨底物IC50为700 ～735mg/L； 亚硝酸盐底物IC50为280～330mg/L； pH值为6.7～8.3； 温度为30℃～35℃； C/N为 2～1； N/P为5： 1； 氧 溶解量为0.5～1.0mg/L。 4.根据权利要求1 ‑3任一项所述的培养方法， 其特征在于， 所述厌氧氨氧化菌来自于含 厌氧氨氧化菌的污泥， 所述含厌氧氨氧化菌的污泥选自河 床、 好氧池或者兼性厌氧池。 5.根据权利要求4所述的培养方法， 其特征在于， 所述厌氧氨氧化菌为以NH4+‑N为电子 供体、 以NO2‑‑N为电子受体、 并将NH4+‑N和NO2—N转变为N2的混合菌体。 6.一种厌氧氨氧化菌种的培养装置， 其特征在于， 包括氨氧化模块， 所述氨氧化模块包 括至少两个靶向流道和扰流部， 在相邻两个所述靶向流道之间设置所述扰流部； 所述靶向流道包括支撑架和固定架， 沿所述支撑架的宽度方向间隔均匀的设置多个 固 定架， 所述固定架与所述支撑架的长度方向平行， 在每个所述固定架的长度方向间隔均匀 的设置有 多个绳状填料， 所述绳状填料 上附着含厌氧氨氧化菌种的污泥； 所述扰流部为在相邻两个所述靶向流道之间设置的分隔墙。 7.权利要求1 ‑5任一项所述的培养方法培养的厌氧氨氧化菌种在处理工业废水中的应 用。 8.根据权利要求7 所述的应用， 其特 征在于， 处 理工业废水包括如下步骤： 氨氮废水经过氨氧化模块； 经氨氧化模块处 理后经分离系统进行固液分离； 分离出的液体进一 步处理； 分离出的固体为厌氧氨氧化污泥， 收集厌氧氨氧化污泥； 收集的厌氧氨氧化污泥一部分回流到氨氧化模块， 剩余的厌氧氨氧化污泥外运； 所述氨氧化模块的厌氧氨氧化污泥中的厌氧氨氧化菌在权利要求1 ‑3任一项所述的好 氧培养条件下培 养。 9.根据权利要求8所述的应用， 其特征在于， 氨氮废水在进入氨氧化模块前需使用厌氧 反应器或者脱碳工艺将氨 氮废水的CODcr/TN的比例调整为1～ 2， 水温控制在25～3 0℃。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115161235 A 2一种厌氧氨氧化 菌的培养方 法及培养装 置、 及厌氧氨氧化 菌 在处理工 业废水中的应用 技术领域 [0001]本申请涉及废水处理技术领域， 具体涉及 一种厌氧氨氧化菌的培养方法及培养装 置、 及厌氧氨氧化菌在处 理工业废水中的应用。 [0002] 背景技术 [0003]氨氧化技术指氨氧化菌种在厌氧或缺氧条件下以亚硝酸根为电子受体， 利用氨氧 化菌将氨氮直接氧化为氮气的废水 处理技术。 氨氧化技术在节约了硝化反应曝气能源的基 础上， 无需外加碳源。 硝化反应中好氧产生的生化污泥在工程里面作为固体废弃物， 需要脱 水之后处理掉， 但氨氧化菌种属于自养型微生物， 生长缓慢， 因而工艺段的污泥产量减少， 污泥产量减少脱水设备的需求 量就减少， 因而可以同时减少处 理费用和投资运行费用。 [0004]目前市场上多为在厌氧条件下培养氨氧化菌种以达到脱氮的目的， 但是在厌氧条 件下培养氨氧化菌种的反应条件苛刻， 抗冲击能力小， 不适合大规模推广。 传统的好氧条件 下的水处理技术耐冲击性能高， 适合大量化工废水处理， 但目前使用好氧条件的只有硝化 反硝化技术， 硝化反硝化 技术的脱氮效率有限。 [0005]如果能够在 好氧条件下培养厌氧氨氧化菌种， 厌氧氨氧化菌种依旧按照原来的脱 氮方式脱氮， 又能够提高水处 理技术耐冲击性能， 将有利于提高废水的脱氮去除率。 [0006] 发明内容 [0007]为了解决现有上述技术问题， 本申请提出了一种厌氧氨氧化菌的培养方法及培养 装置、 及厌氧氨氧化菌在处理工业废水中的应用。 该厌氧氨氧化菌的培养方法培养的厌氧 氨氧化菌在处 理废水时， 氨 氮化脱氮效率可以达 到85%以上， 有效提高了脱氮效率。 [0008]一方面， 本申请提供了一种厌氧氨氧化菌 的培养方法， 该培养方法是通过如下技 术方案实现的： 一种厌氧氨氧化菌 的培养方法， 在好氧条件下培养厌氧氨氧化菌， 所述好氧条件 包括： 氨底物IC50为550～800mg/L； 亚硝酸盐底物IC50为200～400mg/L； pH值为6～9； 温 度为25℃～40℃； C /N为3～1； N/P为 （7～3） ： 1； 氧 溶解量为0～2.0mg/L。 [0009]通过在好氧条件下培养厌氧氨氧化菌， 可以提高厌氧氨氧化菌 的耐冲击力， 有利 于提高脱氮效率。 [0010]优选的， 所述好氧条件包括： 氨底物IC50为600～750mg/L； 亚硝酸盐底物IC50为250 ～350mg/L； pH值为6.5～8.5； 温度为27℃～37℃； C/N为2～1； N/P为 （6～4） ： 1； 氧溶解量为 0.5～1.5mg/L。 [0011]优选的， 所述好氧条件包括： 氨底物IC50为700～735mg/L； 亚硝酸盐底物IC50为280说　明　书 1/7 页 3 CN 115161235 A 3