(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202221308441.4 (22)申请日 2022.05.27 (73)专利权人 甘肃旭晶新材 料有限公司 地址 735000 甘肃省酒泉市肃州区经济技 术开发区(西园)科研 孵化园5号楼5 01 专利权人 北京远大信达科技有限公司 (72)发明人 王忠海　宋亚滨　翟虎　陆继波　 陈桥玉　周文辉　 (74)专利代理 机构 北京润平知识产权代理有限 公司 11283 专利代理师 吴瑛 (51)Int.Cl. B24B 41/00(2006.01) B24B 29/02(2006.01) B65G 47/74(2006.01) (54)实用新型名称 晶片自动下蜡装置 (57)摘要 本实用新型涉及蓝宝石晶片加工技术领域， 公开了一种晶片自动下蜡装置， 包括转运架、 第 一搬运组件以及第一加热盘， 所述转运架具有多 层依次叠放的放置架， 每层所述放置架能够放置 载有晶片的陶瓷盘， 所述第一搬运组件能够将所 述转运架上放置的所述陶瓷盘搬运到所述第一 加热盘上， 所述第一加热盘能够加热所述陶瓷 盘， 以使得晶片与所述陶瓷盘之间的蜡融化。 通 过上述技术方案， 多层设置的放置架能够同时放 置大量待下蜡的陶瓷盘， 第一搬运组件能够将陶 瓷盘依次从放置架上卸下并转运至第一加热盘 上， 再利用第一加热盘对陶瓷盘进行加热， 使得 蜡得以融化从而达到下蜡的目的， 上述过程均有 机械完成， 避免了人工操作对晶片造成的损伤。 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 CN 218137250 U 2022.12.27 CN 218137250 U 1.一种晶片自动下蜡装置， 其特征在于， 包括转运架(10)、 第 一搬运组件以及第一加热 盘(20)， 所述转运架(10)具有多层依次叠放的放置架(12)， 每层所述放置架(12)能够放置 载有晶片(100)的陶瓷盘(200)， 所述第一搬运组件能够将所述转运架(10)上放置的所述陶 瓷盘(200)搬运到所述第一加热盘(20)上， 所述第一加热盘(20)能够加热所述陶瓷盘 (200)， 以使得晶片(10 0)与所述陶瓷盘(20 0)之间的蜡融化。 2.根据权利要求1所述的晶片自动下蜡装置， 其特征在于， 所述转运架(10)还包括第一 升降机构(11)， 所述第一升降机构(11)与所述放置架(12)传动连接， 所述第一升降机构 (11)能够驱动所述放置架(12)沿竖直方向移动， 所述放置架(12)包括多层依次设置的周向 框架(121)， 所述周向框架(121)能够支撑所述陶瓷盘(20 0)的边缘。 3.根据权利要求2所述的晶片自动下蜡装置， 其特征在于， 所述第 一搬运组件包括导轨 (33)、 安装板(31)、 顶升组件(32)以及驱动组件， 所述 驱动组件能够驱动所述安装板(31)沿 所述导轨(33)移动， 所述安装板(31)能够移动至所述导轨(33)的第一端并伸入 所述放置架 (12)内部， 所述顶升组件(32)设置于所述安装板(31)上， 所述顶升组件(32)包括多个 能够 沿竖直方向伸缩的伸缩杆， 所述顶升组件(32)能够将放置于所述周向框架(121)内的所述 陶瓷盘(20 0)顶离所述周向框架(121)。 4.根据权利要求3所述的晶片自动下蜡装置， 其特征在于， 所述第 一加热盘(20)设置于 所述安装板(31)的中心位置， 所述伸缩杆沿所述第一加热盘(20)周向间隔均布。 5.根据权利要求3所述的晶片自动下蜡装置， 其特征在于， 所述晶片自动下蜡装置还包 括第二搬运组件以及晶片放置篮(41)， 所述第二搬运组件 能够将所述陶瓷盘(200)上放置 的晶片(100)搬运至所述晶片放置篮(41)内。 6.根据权利要求5所述的晶片自动下蜡装置， 其特征在于， 所述第 二搬运组件包括设置 于所述导轨(33)第二端的第二加热盘(43)， 所述第一搬运组件能够将承载有晶片(100)的 陶瓷盘(20 0)搬运至所述第二加热盘(43)上。 7.根据权利要求6所述的晶片自动下蜡装置， 其特征在于， 所述第 二搬运组件还包括设 置于所述第二加热盘(43)底部的旋转组件， 所述旋转组件能够驱动所述第二加热盘(43)旋 转。 8.根据权利要求5所述的晶片自动下蜡装置， 其特征在于， 所述第 二搬运组件还包括机 械臂(42)， 所述机 械臂(42)的自由端设置有晶片铲刀(421)。 9.根据权利要求8所述的晶片自动下蜡装置， 其特征在于， 所述机械臂(42)以及所述晶 片放置篮(41)分别设置 于所述导轨(33)相对的两侧。 10.根据权利要求5所述的晶片自动下蜡装置， 其特征在于， 所述晶片放置篮(41)包括 放置框以及驱动所述 放置框沿竖直方向移动的第二升降机构。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 218137250 U 2晶片自动下蜡装 置 技术领域 [0001]本实用新型 涉及蓝宝石晶片加工技 术领域， 具体地涉及一种晶片自动下蜡装置 。 背景技术 [0002]蓝宝石是一种集优良光学性能物理性能和化学性能于一身的独特晶体， 是现代工 业重要的基础材料。 其独特的晶格结构、 优异的力学性能、 良好的热学性能使蓝宝石晶体成 为实际应用的半导体照明(LED)、 大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构薄膜等理想的 衬底材料。 根据法国Y OLE的统计， 衬底材料应用占蓝宝石需求量的75％以上， 非衬底材料应 用占25％左右。 每当LED照明渗透率增加1％， 将直接拉动蓝宝石衬底约107万片 的增长需 求。 随着行业产能的普遍提升、 蓝宝石 材料制造成本以及销售价格的下降， 及技术的不断升 级和应用市场的快速扩大， 4英寸、 6英寸、 甚至更大尺 寸衬底晶片由于在生产利用率上的先 天优势， 将更多的被国内主流芯片企业所采用。 [0003]随着国内LED和半导体的切磨抛加工技术日益成熟， LED和半导体不仅对于材料要 求， 对于所有阶段的加工技术要求都出现了不同阶段的提升瓶颈， 由传统的模仿和学习开 始慢慢转变为自主研发提升， 晶片铜抛温度的控住主要是针对晶片抛光各制程产品在总厚 度偏差(TTV)、 弯曲度(BOW)、 翘曲度(WARP)、 LTV等参数控制上， 再次提升和突破的另一项参 数需求。 [0004]通过采用单面硬抛的方式对晶片进行加工， 一方面为了降低晶片的翘曲度， 另一 方面为了去除晶片表面的损伤层。 为了保 障晶片的翘曲度， 通常需要较长的磨削时间以及 较大的磨削量， 才能达到 保证晶片平 坦的目的。 由于蓝宝石硬度高、 脆性大给材料加工尤其 是表面纳米级 抛光带来很多困难。 为应对光电技术的发展对蓝宝石衬底材料表面提出的超 光滑、 无损伤的要求， 必须对蓝宝石衬底进行精细抛光。 [0005]蓝宝石衬底片抛光主要有机械抛光、 化学抛光和化学机械抛光。 抛光时通常使用 蜡等材质将晶片固定于陶瓷盘上， 在抛光结束后再将蜡融化并从陶瓷盘上取下， 然后将晶 片与陶瓷盘分别运向下一制程。 但目前通常采用人工方式将抛光后的晶片从陶瓷盘上取 下， 这一过程不仅效率 不高， 且人工操作容 易对晶片造成损伤， 影响产品良率。 实用新型内容 [0006]本实用新型的目的是为了克服现有技术存在的人工下蜡操作效率不高， 且人工操 作容易对晶片造成损伤， 影响产品良率问题， 提供一种晶片自动下蜡装置 。 [0007]为了实现上述目的， 本实用新型一方面提供一种晶片自动下蜡装置， 包括转运架、 第一搬运组件以及第一加热盘， 所述转运架具有多层依 次叠放的放置架， 每层所述放置架 能够放置载有晶片的陶瓷盘， 所述第一搬运组件能够将所述转运架上放置的所述陶瓷盘搬 运到所述第一加热盘上， 所述第一加热盘能够加热所述陶瓷盘， 以使得晶片与所述陶瓷盘 之间的蜡融化。 [0008]可选地， 所述转运架还包括第一升降机构， 所述第一升降机构与所述放置架传动说　明　书 1/5 页 3 CN 218137250 U 3