GB-T 42975-2023 半导体集成电路 驱动器测试方法

ICS 31.200 CCS L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T 42975—2023 半导体集成电路驱动器测试方法 Semiconductor integrated circuitsTest method of driver device 2024-01-01实施 2023-09-07发布国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会 GB/T42975—2023 目次前言范围 1 2 规范性引用文件 3 术语和定义一般要求静态参数测试 5 5.1 输人高电平电压（V） 5.2 输人低电平电压（V） 5.3 输人钳位电压（Vik） 5.4 输人高电平电流（IH） 5.5 输人低电平电流（I） 5.6 输人阻抗（RIN 5.7 输出高电平电压（VoH） 5.8 输出低电平电压（Vor） 5.9 输出阻抗(Rou 5.10 输出漏电流（Itk） 5.11 输出短路电流（Ios） 10 5.12 峰值电流（Ipk） 10 5.13 差分输出电压（VoD L2 5.14 差分输出电压变化（△VoD） 14 5.15 共模输出电压（Vos 14 5.16 共模输出电压变化（△Vos） 15 5.17静态电流（IDDQ） 15 6动态参数测试· 16 6.1 电源电流（IDD） 16 6.2 输出由低电平到高电平传输延迟时间（tPLH） 17 6.3 输出由高电平到低电平传输延迟时间（tpHL） 20 6.4 输出上升时间（t.） 20 6.5 输出下降时间（tr） 21 6.6 输出偏斜(tsk） 21 6.7 时钟抖动（iADD） 22 6.8输人电容（C,）和输出电容（Co） 23

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